您现在的位置：中国农业仪器网 > 行业动态 >新日本无线开发完成设有旁通电路低噪声放大器
新日本无线开发完成设有旁通电路低噪声放大器
近年来，为了降低手机成本，RF-IC的CMOS化在不断地进步。以往的低噪声放大器内置于RF-IC内，但是CMOS工艺很难构成便宜又具有高线形性的低噪声放大器。所以有必要增加外部元件的低噪声放大器。因此，要通过CMOS工艺来降低成本，外部元件的高线形性的低噪声放大器是必要的。NJG1138HA8就是能满足这种要求的设有旁通电路低噪声放大器。用于900MHz频段W-CDMA模式手机终端。
NJG1138HA8是由低噪声放大电路、旁通电路、控制用逻辑电路构成的低噪声放大器。具有内置高线形性、低消耗电流、ESD�；さ缏返忍卣�，并且为防止离基地局较近地区发生的强磁场输入时所造成的放大器视失真，设置了不经过放大电路的旁通模式(Low gain模式)。
通过使用高性能HJ FET工艺，NJG1138HA8即实现了高线形性 (IIP3 0dBm typ.@VCTL=1.8V, fRF =942.5MHz)和低消耗电流(2.3mA typ.@VCTL=1.8V)。
内置保护元件，用HBM(Human Body Model)方法，NJG1138HA8实现了2000V以上的高ESD(Electrostatic Discharge)静电耐压
产品性能及特点概要
●低工作电压：+2.8V typ.
●低控制电压：+1.8V typ. [high gain 模式]
●低消耗电流：2.3mA typ.@VCTL=1.8V
●高增益：16.0dB typ.@VCTL=1.8V, fRF =942.5MHz
●低噪声指数：1.4dB typ.@VCTL=1.8V, fRF =942.5MHz
●高1dB压缩时的输入电力：-8.5dBm typ.@VCTL=1.8V, fRF =942.5MHz
●高输入IP3：0dBm typ.@VCTL=1.8V, fRF =942.5MHz
[low gain 模式]
●低消耗电流：10μA typ.@VCTL=0V
●高1dB压缩时的输入电力：+16.0dBm typ.@VCTL=0V, fRF=942.5MHz
●高输入IP3：+14dBm typ.@VCTL=0V, fRF=942.5MHz
●符合无铅无卤化物标准
本站推荐仪器:罗维朋比色计 脂肪测定仪 分样器 spad-502叶绿素含量测定仪 氮磷钙测定仪
- 【中国农业仪器网】声明部分文章转载自其它媒体，转载目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责，且不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如涉及作品内容、版权和其它问题，请在30日内与本网联系。
